N-Kanal IGBT-Transistor STGWT80H65DFB, 650 V 120 A 1MHz, TO-3P 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 829-7136
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT80H65DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.5.20 |
| 25 - 99 | CHF.4.17 |
| 100 - 249 | CHF.4.06 |
| 250 - 499 | CHF.3.98 |
| 500 + | CHF.3.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-7136
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT80H65DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 120 A | |
| Kollektor-Emitter- | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 469 W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 15.8mm | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 20.1mm | |
| Abmessungen | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 120 A | ||
Kollektor-Emitter- 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 469 W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 15.8mm | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 20.1mm | ||
Abmessungen 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||