N-Kanal IGBT-Transistor STGE50NC60VD, 600 V 90 A 1MHz, ISOTOP 4-pin
- RS Best.-Nr.:
- 810-3475
- Herst. Teile-Nr.:
- STGE50NC60VD
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.27.24 |
| 10 - 49 | CHF.24.86 |
| 50 - 199 | CHF.21.55 |
| 200 - 499 | CHF.21.13 |
| 500 + | CHF.18.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 810-3475
- Herst. Teile-Nr.:
- STGE50NC60VD
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 90 A | |
| Kollektor-Emitter- | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 260 W | |
| Gehäusegröße | ISOTOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 38.2mm | |
| Breite | 24.15mm | |
| Höhe | 12.2mm | |
| Abmessungen | 38.2 x 24.15 x 12.2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 90 A | ||
Kollektor-Emitter- 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 260 W | ||
Gehäusegröße ISOTOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 38.2mm | ||
Breite 24.15mm | ||
Höhe 12.2mm | ||
Abmessungen 38.2 x 24.15 x 12.2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||