N-Kanal IGBT-Transistor NGTG50N60FWG, 600 V 100 A 1MHz, TO-247 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 796-1384
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTG50N60FWG
- Marke:
- ON Semiconductor
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 796-1384
- Herst. Teile-Nr.:
- NGTG50N60FWG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter- | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 223 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 16.25mm | |
| Breite | 5.3mm | |
| Höhe | 21.4mm | |
| Abmessungen | 16.25 x 5.3 x 21.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter- 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 223 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 16.25mm | ||
Breite 5.3mm | ||
Höhe 21.4mm | ||
Abmessungen 16.25 x 5.3 x 21.4mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||