N-Kanal IGBT-Transistor STGD18N40LZT4, 420 V 30 A 1MHz, DPAK 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 795-9019
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD18N40LZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.1.525 | CHF.7.62 |
| 10 - 95 | CHF.1.172 | CHF.5.86 |
| 100 - 495 | CHF.0.939 | CHF.4.68 |
| 500 - 995 | CHF.0.859 | CHF.4.28 |
| 1000 + | CHF.0.657 | CHF.3.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 795-9019
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD18N40LZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter- | 420 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 16V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 6.6mm | |
| Breite | 6.2mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter- 420 V | ||
Gate-Source Spannung max. 16V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 6.6mm | ||
Breite 6.2mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Abmessungen 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
