N-Kanal IGBT-Transistor STGW60H65DFB, 650 V 80 A, TO-247 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 792-5802
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW60H65DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 792-5802
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW60H65DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter- | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 375 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 15.75mm | |
| Breite | 5.15mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter- 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 375 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 15.75mm | ||
Breite 5.15mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||