N-Kanal IGBT-Transistor STGF30V60DF, 600 V 60 A 1MHz, TO-220 3-pin
- RS Best.-Nr.:
- 791-9346P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF30V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | CHF.1.131 |
| 125 - 495 | CHF.1.111 |
| 500 - 995 | CHF.1.091 |
| 1000 + | CHF.1.071 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 791-9346P
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF30V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter- | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 260 W | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | Durchsteckmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter- 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 260 W | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ Durchsteckmontage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Höhe 15.75mm | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||