N-Kanal IGBT-Transistor STGWT30V60DF, 600 V 60 A 1MHz, TO-3P 3-pin

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RS Best.-Nr.:
791-7661
Herst. Teile-Nr.:
STGWT30V60DF
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

258 W

Gehäusegröße

TO-3P

Montage-Typ

Durchsteckmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Transistor-Konfiguration

Einfach

Länge

15.7mm

Breite

5.7mm

Höhe

26.7mm

Abmessungen

15.7 x 5.7 x 26.7mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

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