N-Kanal IGBT-Halbbrückenmodul SKM200GB12E4, Emitter-Kollektor, 1200 V 314 A, SEMITRANS® 3 7-pin
- RS Best.-Nr.:
- 687-4973
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM200GB12E4
- Marke:
- Semikron
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 1 | CHF.155.60 |
| 2 - 4 | CHF.152.54 |
| 5 - 9 | CHF.135.60 |
| 10 - 19 | CHF.124.49 |
| 20 + | CHF.122.05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-4973
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM200GB12E4
- Marke:
- Semikron
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Konfiguration | Zweifach-Halbbrücke | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 314 A | |
| Kollektor-Emitter- | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Channel-Typ | N | |
| Montage-Typ | Frontplattenmontage | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS3 | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Abmessungen | 106.4 x 61.4 x 30mm | |
| Höhe | 30mm | |
| Länge | 106.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Breite | 61.4mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Konfiguration Zweifach-Halbbrücke | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 314 A | ||
Kollektor-Emitter- 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Channel-Typ N | ||
Montage-Typ Frontplattenmontage | ||
Gehäusegröße SEMITRANS3 | ||
Pinanzahl 7 | ||
Abmessungen 106.4 x 61.4 x 30mm | ||
Höhe 30mm | ||
Länge 106.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Breite 61.4mm | ||
- Ursprungsland:
- SK