N-Kanal IGBT-Modul 6MBI50U4A-120-50, Emitter-Kollektor, 1200 V 50 A, M636 28-pin

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RS Best.-Nr.:
462-837
Herst. Teile-Nr.:
6MBI50U4A-120-50
Marke:
Fuji
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Marke

Fuji

Transistor-Konfiguration

3-phasig

Konfiguration

Dreiphasenbrücke

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Kollektor-Emitter-

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Channel-Typ

N

Montage-Typ

Leiterplattenmontage

Gehäusegröße

M636

Pinanzahl

28

Verlustleistung max.

275 W

Abmessungen

107.5 x 45 x 17mm

Höhe

17mm

Länge

107.5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

45mm

Ursprungsland:
JP

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