Adesto Technologies Flash-Speicher 4194304bit, 2048 Seiten x 256 Byte, SPI, 7ns, SOIC, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 822-8461
- Herst. Teile-Nr.:
- AT45DB041E-SSHN-B
- Marke:
- Adesto Technologies
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| 50 - 245 | CHF.0.838 | CHF.4.20 |
| 250 - 495 | CHF.0.747 | CHF.3.74 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 822-8461
- Herst. Teile-Nr.:
- AT45DB041E-SSHN-B
- Marke:
- Adesto Technologies
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Adesto Technologies | |
| Speicher Größe | 4194304bit | |
| Interface-Typ | SPI | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 2048 Seiten x 256 Byte | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,65 V | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Abmessungen | 5.05 x 3.99 x 1.5mm | |
| Zugriffszeit max. | 7ns | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 2048 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Adesto Technologies | ||
Speicher Größe 4194304bit | ||
Interface-Typ SPI | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 2048 Seiten x 256 Byte | ||
Montage-Typ SMD | ||
Arbeitsspannnung min. 1,65 V | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Abmessungen 5.05 x 3.99 x 1.5mm | ||
Zugriffszeit max. 7ns | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 2048 | ||
Der AT45DB041E ist ein 1,65-V-Flash-Speicher mit sequentiellem Zugriff über eine serielle Schnittstelle, der ideal für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet ist
Digitale Sprach-, Bild-, Programmcode- und Datenspeicheranwendungen. Der AT45DB041E unterstützt auch die serielle Rapids
Schnittstelle für Anwendungen, die einen Betrieb mit sehr hoher Geschwindigkeit erfordern. Seine 4 194.304 Bits Speicher sind als 2.048 Seiten organisiert
Von jeweils 256 Byte oder 264 Byte. Neben dem Arbeitsspeicher enthält der AT45DB041E auch zwei SRAM-Puffer von
Jeweils 256/264 Byte. Die Puffer ermöglichen den Empfang von Daten, während eine Seite im Hauptspeicher neu programmiert wird.
Das Interleaving zwischen beiden Puffern kann die Fähigkeit ability eines Systems zum Schreiben eines kontinuierlichen Datenstroms erheblich erhöhen. Zoll
Zusätzlich können die SRAM-Puffer als zusätzlicher Systemkratzpad-Speicher und E2 verwendet werden
PROM-Emulation (Bit oder Byte
Änderbarkeit) kann einfach mit einem eigenständigen, dreistufigen Lese-/Änderungs-Schreibvorgang gehandhabt werden
Digitale Sprach-, Bild-, Programmcode- und Datenspeicheranwendungen. Der AT45DB041E unterstützt auch die serielle Rapids
Schnittstelle für Anwendungen, die einen Betrieb mit sehr hoher Geschwindigkeit erfordern. Seine 4 194.304 Bits Speicher sind als 2.048 Seiten organisiert
Von jeweils 256 Byte oder 264 Byte. Neben dem Arbeitsspeicher enthält der AT45DB041E auch zwei SRAM-Puffer von
Jeweils 256/264 Byte. Die Puffer ermöglichen den Empfang von Daten, während eine Seite im Hauptspeicher neu programmiert wird.
Das Interleaving zwischen beiden Puffern kann die Fähigkeit ability eines Systems zum Schreiben eines kontinuierlichen Datenstroms erheblich erhöhen. Zoll
Zusätzlich können die SRAM-Puffer als zusätzlicher Systemkratzpad-Speicher und E2 verwendet werden
PROM-Emulation (Bit oder Byte
Änderbarkeit) kann einfach mit einem eigenständigen, dreistufigen Lese-/Änderungs-Schreibvorgang gehandhabt werden